Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (5) | Реферативна база даних (4) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Керимов Э$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
|||
| 1. | 
Керимов Э. Н. Проблемы развития хозяйственных субъектов в Азербайджанской Республике [Електронний ресурс] / Э. Н. Керимов // Бізнес Інформ. - 2012. - № 9. - С. 81-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/binf_2012_9_14 | ||
| 2. | 
Керимов Э. Э. Стоматологическая заболеваемость, обеспеченность и нуждаемость населения субтропической зоны aзербайджана в ортопедической стоматологической помощи [Електронний ресурс] / Э. Э. Керимов, А. А. Багиров // Український журнал клінічної та лабораторної медицини. - 2012. - Т. 7, № 4. - С. 111-115. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ujkl_2012_7_4_24 | ||
| 3. | 
Керимов Э. Н. оглу Проблемы развития хозяйственных субъектов в Азербайджанской Республике [Електронний ресурс] / Э. Н. оглу Керимов // Науковий вісник Полтавського університету економіки і торгівлі. Серія : Економічні науки. - 2011. - № 3. - С. 59-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvpusk_2011_3_12 | ||
| 4. | 
Керимов Э. Археологическое исследование архитектурных памятников Самухского и Газахского районов [Електронний ресурс] / Э. Керимов // Гілея: науковий вісник. - 2016. - Вип. 110. - С. 152-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/gileya_2016_110_38 | ||
| 5. | 
Нагаева З. С. К вопросу о формировании жилой застройки крымских татар в XVIII – XIX вв. в Бахчисарайском районе Крыма [Електронний ресурс] / З. С. Нагаева, Э. С. Керимов // Проблеми розвитку міського середовища. - 2011. - Вип. 5-6. - С. 175-180. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prms_2011_5-6_26 | ||
| 6. | 
Нагаева З. С. Сравнительный анализ архитектурно-пространственной организации жилой застройки XIX века в Ак-Мечети (Симферополе) и Бахчисарае [Електронний ресурс] / З. С. Нагаева, Э. С.-И. Керимов // Сучасні проблеми архітектури та містобудування. - 2013. - Вип. 34. - С. 348-355. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Spam_2013_34_48 | ||
| 7. | 
Керимов Э. А. Инфракрасные приемники информации на основе полупроводниковых композитных материалов [Електронний ресурс] / Э. А. Керимов, М. М. Гаджиев, Л. В. Иванова // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2019. - № 1. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2019_1_10 Представлен фототранзистор (ПТШ - полевой транзистор Шоттки) с барьером Шоттки на основе контакта IrSi - Si индуцированного и р-канального встроенного типа, который имеет высокую фоточувствительность и более широкую область спектральной чувствительности по сравнению с диодами Шоттки и МОП (металл-оксид-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурами. Исследованы вольтамперные характеристики затвора полевого транзистора, управляемого барьером Шоттки на основе контакта IrSі - Sі, определена зависимость токов затвора от напряжения. Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в диоде Шоттки, не с помощью ПЗС (приборы с зарядной связью) - регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядной инжекцией) - структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины, для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП-ключ (металл-оксид-полупроводник) для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из которых состоит из фоточувствительного диода Шоттки и МОП-ключа. Экспериментальным способом установлено что, зависимость тока затвора ПТШ с индуцированным каналом показывает, что для напряжения с ИК-излучением транзисторной структуры, положительный заряд, удерживаемый в пленке IrSi, разряжается в кремниевую пленку, образуя фототок в затворе полевого транзистора. Рассмотренный ИК-детектор может быть совмещен с элементами интегральных схем, что открывает широкие перспективы для его использования в многоэлементных инфракрасных фотоприемниках большой степени интеграции.Представлен фототранзистор (ПТШ - полевой транзистор Шоттки) с барьером Шоттки на основе контакта IrSi - Si индуцированного и р-канального встроенного типа, который имеет высокую фоточувствительность и более широкую область спектральной чувствительности по сравнению с диодами Шоттки и МОП (металл-оксид-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурами. Исследованы вольтамперные характеристики затвора полевого транзистора, управляемого барьером Шоттки на основе контакта IrSі - Sі, определена зависимость токов затвора от напряжения. Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в диоде Шоттки, не с помощью ПЗС (приборы с зарядной связью) - регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядной инжекцией) - структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины, для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП-ключ (металл-оксид-полупроводник) для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из которых состоит из фоточувствительного диода Шоттки и МОП-ключа. Экспериментальным способом установлено что, зависимость тока затвора ПТШ с индуцированным каналом показывает, что для напряжения с ИК-излучением транзисторной структуры, положительный заряд, удерживаемый в пленке IrSi, разряжается в кремниевую пленку, образуя фототок в затворе полевого транзистора. Рассмотренный ИК-детектор может быть совмещен с элементами интегральных схем, что открывает широкие перспективы для его использования в многоэлементных инфракрасных фотоприемниках большой степени интеграции. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |